一、ADSL调制技术（论文文献综述）
董自明[1]（2020）在《LDMOS横纵向电场同时优化及关键技术》文中提出功率半导体器件作为智能功率集成电路（Smart Power Integrated Circuits,SPIC）和高压集成电路（High Voltage Integrated Circuits,HVIC）的核心部件,以其具有变频、整流、变压、功率放大和功率管理等能力,广泛的应用于新能源汽车,智能家电和军工产品等领域。功率半导体器件的关键问题是改善击穿电压（Breakdown Voltage,简称BV）和比导通电阻(Specific On Resistance,简称Ron,sp)的矛盾关系。功率半导体研究人员从新结构,新理论和新材料等角度来提升功率半导体器件的性能。先后提出了多种技术来改善功率半导体器件的性能,主要分为两大类:表面终端技术和体内终端技术。然而,这些技术主要对功率半导体器件的横向表面电场或纵向体内电场进行单独调制,增加了设计和工艺的复杂性,影响功率半导体器件性能进一步提升。本文围绕着电场调制技术,通过同一技术同时优化功率半导体器件横纵向电场提升器件性能为目标。提出了两种新型LDMOS（Lateral Double-diffusion MOSFET）器件。一种是具有电荷补偿层技术（Substrate Compensation Charge Layer technology,简称SCCL）的SCCL LDMOS和SCCL SJ LDMOS（Super-Junction LDMOS）器件;另一种是具有多环技术（Multi-Ring technology,简称M-R）的M-R LDMOS和M-R SJ LDMOS器件。并分别对于SCCL LDMOS和M-R LDMOS器件建立了解析模型阐述电荷补偿技术和多环技术对横纵向电场的调制机理。完成了具有辅助耗尽衬底层技术（Assisted Depleting Substrate Layer,简称ADSL）的LDMOS器件研究,进一步优化器件并建立了其解析模型。建立了阶梯Hk MOSFET器件的解析模型,阐述了与LDMOS类似的二维电场对器件的调制机理。最后,研讨了适用于柔性电子的LDMOS器件同时优化横纵向电场的必要性,并通过仿真和流片实验分析器件电学性能。主要创新工作如下:（1）完成了ADSL LDMOS器件研究。并针对该器件存在表面电场不均匀的问题提出了具有P埋层的ADSL LDMOS器件（P Buried Layer ADSL LDMOS,简称P-B ADSL LDMOS）。新器件除了具有辅助耗尽衬底层调制器件纵向电场的优势外,P埋层对器件表面电场具有优异的调制效果。另外,根据电荷守恒原理,由于该器件具有高掺杂P埋层,其漂移区掺杂浓度得到提升,比导通电阻得到优化。在P埋层和辅助耗尽衬底层的同时优化下,P-B ADSL LDMOS的横纵向电场得到同时优化,器件性能得到提升,器件BV和Ron,sp之间的矛盾关系突破了LDMOS硅极限。最后,建立了ADSL LDMOS器件的解析模型阐明了辅助耗尽衬底层对于LDMOS器件的横纵向电场调制作用。（2）提出了SCCL LDMOS器件。电荷补偿层对LDMOS器件横纵向电场具有同时优化的效果。利用电荷补偿技术,SCCL LDMOS器件的纵向电场得到拓展且在横纵向电场均引入电场峰,使器件横纵向电场得到优化,提升器件耐压。然后,电荷补偿层技术应用到SJ LDMOS器件中,电荷补偿层使得器件横纵向电场同时优化且消除了衬底辅助耗尽效应。SCCL SJ LDMOS器件性能优异打破了LDMOS硅极限。最后,建立了SCCL LDMOS器件的解析模型阐述了电荷补偿技术对LDMOS器件的表面和纵向电场同时调制作用。（3）提出了M-R LDMOS器件。多环技术对LDMOS器件横纵向电场具有同时优化的效果。由于多环技术调制作用,M-R LDMOS器件的纵向电场得到拓展且其横纵向电场均被引入新电场峰得到调制,器件耐压得到提升。另外,多环结构拓宽了器件导电通道降低了器件导通电阻。然后,提出了M-R SJ LDMOS器件,多环技术除了同时优化横纵向电场还消除了衬底辅助耗尽效应,使得器件耐压增长。M-R SJ LDMOS器件性能优异打破了LDMOS硅极限。最后,建立了M-R LDMOS器件的解析模型阐述了多环技术对LDMOS器件的横向,纵向和径向电场调制作用并准确预测器件的击穿特性。（4）阶梯Hk MOSFET的漂移区与LDMOS类似,由P阱和Hk介质层同时耗尽,受到两个电场同时调制。结合阶梯Hk MOSFET的特点,建立了阶梯Hk MOSFET器件的解析模型。通过求解半导体材料漂移区的泊松方程和Hk介质层的拉普拉斯方程,获得了器件二维电场分布模型,阐述了二维电场对器件的调制机理;其次,建立了器件的耐压模型,精准预测器件的击穿特性。最后,求解比导通电阻,提出了优化阶梯Hk MOSFET器件方法。（5）分析了适用于柔性电子的LDMOS器件同时优化横纵向电场的必要性。讨论了适用于柔性电子的体硅和SOI基LDMOS器件在缺失衬底电极和衬底减薄情况下横纵向电场分布,击穿特性,传输特性和转移特性。并提出了优化器件横纵向电场提升器件性能的方法。通过流片实验分析了适用于柔性电子SOI基LDMOS器件的电学性能。本文共提出了五种新型LDMOS,包括:P-B ADSL LDMOS,SCCL LDMOS,SCCL SJ-LDMOS,M-R LDMOS和M-R SJ-LDMOS。与传统LDMOS相比,这些器件的BV与Ron,sp之间矛盾关系都得到有效改善;并分别针对具有辅助耗尽衬底技术,电荷补偿技术,多环技术和阶梯HK介质层器件建立了解析模型阐述各个技术的电场调制机理;研究了应用于柔性电子的LDMOS器件并通过流片测试分析器件性能。
陆洋[2]（2018）在《互联网宽带接入技术及其工程实践研究》文中进行了进一步梳理宽带接入网是计算机科学与通信技术相结合的学科,是国家信息基础设施发展的重点与关键。近年来随着互联网和通信网技术的迅速发展,用户对网络质量的需求逐渐提高,云计算和大数据服务的兴起也给网络服务提出了新的要求,而宽带接入网依然是通信网发展的瓶颈之一,选用适当的接入网技术高效地进行宽带接入网的建设部署是解决如今所面临问题的关键。本文围绕互联网宽带接入技术展开实践研究,主要工作包括:（1）综述宽带接入网技术的总体发展状况,分析在工程实践中合理运用接入网技术的必要性;概述了宽带接入技术架构,对宽带接入网关键技术进行了详细的分析研究,总结了多种宽带接入技术在传输效率、传输方式、部署成本、建设环境等方面的特性;（2）分析研究了FTTH技术的典型方案和部署原则,从网络结构对FTTH接入方式进行了分析,阐述了OLT、ONU和ODN的功能和具体的部署策略,分析说明了FTTH所适用的应用场景;通过对不同的应用场景建模,提出了基于GPON的FTTH接入技术的多种建设方案模型;（3）基于GPON的FTTH接入技术,根据用户应用需求设计实现了淮阴师范学院两个校区的宽带接入方案,包括:网络拓扑结构设计,接入层OLT、BRAS设备、网管系统、双机热备和光猫的部署。详细阐述了工程施工可行性、施工方法及施工验收测试结果。
赵逸涵[3]（2018）在《横向功率器件纵向电场调制机理及新型器件设计》文中提出作为功率集成电路中至关重要的元器件,横向功率器件一直是相关从业人员的研究重点与热点。而器件的耐压以及导通性能对于应用于高压集成电路中是最关键的因素,国内外对于横向功率器件的性能优化从未停止。并且在器件优化的过程中,横向功率器件纵向耐压受限问题越来越凸显。REBULF理论以及电场调制技术等,为功率器件的性能优化做出了指导性的思路。本文在此基础上,并结合功率器件优化过程,提出横向功率器件纵向电场调制理论技术,对于横向功率器件纵向电场进行针对性的优化。并且在此基础上提出两种新型器件结构,分别为ADSL LDMOS以及ADSL SJ-LDMOS。对于横向功率器件纵向耐压受限问题提出了解决思路。本文具体所做的创新工作包括:（1）通过分析横向功率器件体内场及纵向电场优化思想,并结合REBULF理论以及电场调制技术等,针对优化横向功率器件纵向电场分布以及解决纵向耐压问题,在前述纵向耐压优化理论及结构优化的基础上,提出横向功率器件纵向电场调制理论。该理论通过优化横向功率器件纵向电场,充分发掘器件衬底耐压能力,缓解了横向功率器件击穿电压饱和现象,在优化器件纵向电场分布的同时,对表面电场也有充分的优化作用。为横向功率器件纵向耐压问题提出一种新的理论思想。（2）结合纵向耐压优化理论及结构优化,并在本文提出的横向功率器件纵向电场调制理论基础上,针对典型横向功率器件LDMOS,提出了具有纵向辅助耗尽衬底层的新型LDMOS结构。研究表明:当常规LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462V增大到了897V,提高了94%左右,并且优值FOM也从0.55MW/cm2提升到1.24MW/cm2,提升125%。因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较常规LDMOS有了极大的提升。并且进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938V,三分区时为947V。并在此章内容最后给出了新结构器件的工艺制备技术的详细流程。（3）在具有纵向辅助耗尽衬底层的新型LDMOS结构基础上,将纵向电场调制技术应用于横向超结功率器件中,提出具有纵向辅助耗尽衬底层的新型SJ LDMOS结构,即ADSL SJ-LDMOS。研究表明:新提出的ADSL SJ-LDMOS在漂移区长度与常规SJ-LDMOS均为30μm时,击穿电压由273V增大到了445V,提高了63%左右,并且优值FOM也从3.764MW/cm2提升到了6.828MW/cm2,提升81.4%。
古丽米拉·阿木提[4]（2017）在《ADSL技术发展及应用》文中提出ADSL技术是一种调制技术,在双绞铜线的两端分别接入ADSL调制解调器,即可利用其高频宽带特性高速传送数据。本文全面阐述了实现用户线路高速化的ADSL的技术以及应用。
姚卓锐[5]（2008）在《ADSL技术及其应用》文中研究指明ADSL技术是一种调制技术,在双绞铜线的两端分别接入ADSL调制解调器,即可利用其高频宽带特性高速传送数据。文章全面阐述实现用户线路高速化的ADSL技术及其应用。
黄洁[6]（2008）在《ADSL调制解调器驱动器的实现》文中进行了进一步梳理ADSL接入技术已成为终端用户最主要的宽带接入技术。ADSL技术的关键是ADSL调制解调器,即ADSL MODEM。ADSL用户端调制解调器驱动器是一个宽频带功率放大器,他能不失真放大和传输电话线上已编码的数字信号。本文通过对ADSL调制解调器驱动器特点、结构和性能的分析,给出了一种ADSL用户端MODEM驱动器的实现电路。该电路采用具有优良高频的双功率放大器LT1886,即使在配置高电平的闭环增益网络后也能保持较低的失真。
马晶晶[7]（2007）在《IP-DSLAM/ADSL下行传输线路的研究与设计》文中指出随着核心网的IP化，作为xDSL技术的局端汇聚设备DSLAM（Digital Subscriber Line Access Multiplexer）也向着IP化、智能化、可扩展的方向发展。ADSL技术由于其下行速率高的特点在众多xDSL技术中脱颖而出，成为主流技术。为更好地适应与核心网的衔接和提高接入密度，本文研究了基于ATCA（Advanced Telecom Computing Architecture）架构的多路接入、可扩展的IP-DSLAM传输技术。论文首先对IP-DSLAM的实现原理、ADSL主要调制技术和传输技术进行了分析，在此基础上对DSLAM的传输线路作了整体设计，给出了发送端和接收端的设计方案，并重点对DSLAM中ADSL下行传输线路的数据处理流程进行了分析；然后，采用模块化设计方法，将整个下行传输线路划分为CRC编码模块、RS编码模块、交织模块、星座网格编码模块、IFFT模块以及循环前缀模块等核心模块，分别对每个模块进行详细分析和优化设计，给出具体实现方案，并以QuartusⅡ6.0作为软件平台，通过VHDL编程对该方案加以实现；基于QuartusⅡ6.0时序分析工具和Modelsim SE 6.0仿真工具对设计的方案进行了FPGA仿真，从功能和性能方面对仿真结果进行了分析，为基于ATCA架构的IP-DSLAM多路接入系统设计提供了理论依据。最后，论文给出了64路ADSL用户线接入的设计方案。
陆伟铭[8]（2007）在《xDSL频谱兼容性的分析与研究》文中研究说明接入网的宽带化和IP化将成为未来接入网发展的主要技术趋势,其中DSL技术呈现了爆炸式的增长,而且不断有新的技术如EDSL,HDSL,HDSL,SDSL,ADSL,RADSL,G.ADSL,ADSL2,ADSL2+,VDSL等涌现出来,大大超出人们的发展预料。但在xDSL快速发展的同时,阻碍业务更好发展的制约因素也相继出现,如xDSL线路选择及速率问题;出线率问题;故障定位、解决问题;服务质量问题;线路资源的管理和维护问题等。如何快速有效的解决这些矛盾,已经成为刻不容缓的问题。而要准确、及时的处理解决这些问题,首先必须对传输线路的性质、性能有一个充分的认识和了解,认清影响xDSL传输性能的主要因素,找出有效解决方案。当多种xDSL技术共存在同一电缆中时,相邻线对间通过电磁耦合形成串音,串音简单的说就是指一对双绞线上的信号对另一对双绞线上的信号产生的干扰。如果在同一电缆中两种不同的DSL信号不会由于串音而引起严重的信号衰减,那么就可以认为这两种DSL技术是频谱兼容的。随着DSL业务的发展,频谱兼容的问题会越来越成为DSL进一步发展的瓶颈。xDSL的频谱管理就是在环路中保证各种DSL信号频谱兼容的过程。论文主要对频谱管理和频谱兼容的关键问题进行了研究,并且实现了判定频谱兼容性的自动化测试。论文第二章主要介绍了不同DSL技术类型及其PSD,介绍了ISDN,HDSL,SDSL,ADSL和VDSL,也对近几年新出现的ADSL2和ADSL2+技术作了比较详细的介绍,还介绍了xDSL的常用的编码调制技术。第三章介绍了双绞线系统及其噪声,介绍了双绞线系统结构,分析了影响xDSL传输的因素,并对双绞线的串音作了详细的论述。第四章介绍了目前常用的频谱管理标准T1.417-2001,分析了制定适合中国国情的频谱管理标准的必要性,并指明了动态频谱管理是频谱管理的发展方向。第五章介绍了如何判定一个新DSL技术的频谱兼容性,并提出了测试办法,经过分析得出频谱兼容性的测试主要是性能的测试,于是根据该分析结果以ADSL为例实现了ADSL的传输性能的自动测试平台。第六章分析了ADSL和VDSL的频谱兼容性问题。ADSL和VDSL的频谱兼容很具有典型性,因此把它作为频谱兼容问题的一个应用,该章详细分析了ADSL和VDSL的兼容性,同时也从另外一方面证明了对频谱兼容性研究的意义。
韩宁娟[9]（2007）在《ADSL宽带接入技术的原理和应用》文中研究指明介绍了ADSL技术的基本原理和技能,阐述了ADSL的接入技术和相关的调制解调技术,分析了ADSL的发展前景。
陈一品[10]（2006）在《对ADSL传输质量影响因素的研究》文中进行了进一步梳理非对称数字用户线——ADSL（Asymmetric Digital Subscriber Line）是一种非对称的宽带接入技术，有着极大的优越性。它不用更换现有的铜缆双绞线就可以实现较高的通信速率，这样，不仅保护了电信部门和用户的投资，而且也很好地解决了“最后一英里”的问题。ADSL技术之所以能够达到较高的通信速率，是因为它采用了先进的调制技术。本文介绍了ADSL系统中使用的三种调制技术：QAM、CAP和DMT。与其它两种调制技术相比，DMT调制技术有着相当大的优势，因此它能够成为ADSL标准的调制技术，是ADSL系统中最具应用前景的调制技术。在DMT调制技术中，为了获得较好的传输性能，就需要根据各个子信道不同的信噪比情况来调整它们的比特数。本文论述了DMT调制技术中的比特分配算法，“注水理论”是解决这个问题的经典方法，但是它不能应用于实际系统。在“注水理论”的基础上，本文提出了一种改进的用于DMT信道的优化的比特分配算法，这种算法与其它算法的性能几乎相等，但是大幅度降低了计算量和运行时间。当DMT调制技术应用在ADSL系统时，若信道的脉冲响应比预定的循环前缀长度长，信道的输出端会出现载波间干扰形式的失真。为了解决这个问题，本文提出了一种通过在发信机中引入预编码器来消除这种失真的方法。尽管预编码器的引入使发送功率有所增加，但失真明显减小，系统性能得到了改善。
二、ADSL调制技术（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、ADSL调制技术（论文提纲范文）
（1）LDMOS横纵向电场同时优化及关键技术（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 功率半导体器件表面终端技术 |
| 1.2.1 RESURF技术 |
| 1.2.2 场板技术 |
| 1.2.3 横向变掺杂技术 |
| 1.2.4 横向变厚度技术 |
| 1.3 功率半导体器件体内终端技术 |
| 1.3.1 REBULF技术 |
| 1.3.2 多浮空埋层技术 |
| 1.3.3 图形化埋氧层技术 |
| 1.4 超结技术简介 |
| 1.4.1 横向超结MOSFET |
| 1.4.2 纵向超结MOSFET |
| 1.4.3 超结工艺介绍 |
| 1.5 横向功率器件解析耐压模型研究进展 |
| 1.6 本文研究内容与结构安排 |
| 第二章 具有辅助耗尽衬底层的LDMOS器件及关键技术 |
| 2.1 具有辅助耗尽衬底层LDMOS器件研究 |
| 2.1.1 ADSL LDMOS器件结构和工作机理 |
| 2.1.2 ADSL LDMOS仿真优化分析 |
| 2.1.3 ADSL LDMOS关键工艺流程 |
| 2.1.4 ADSL LDMOS小结 |
| 2.2 具有P型埋层和辅助耗尽衬底层LDMOS器件设计 |
| 2.2.1 P-B ADSL LDMOS器件结构和工作机理 |
| 2.2.2 P-B ADSL LDMOS仿真优化分析 |
| 2.2.3 P-B ADSL LDMOS关键工艺流程 |
| 2.2.4 P-B ADSL LDMOS小结 |
| 2.3 具有辅助耗尽衬底层LDMOS器件解析模型 |
| 2.3.1 ADSL LDMOS器件结构和工作机理 |
| 2.3.2 ADSL LDMOS器件解析建模 |
| 2.3.3 ADSL LDMOS模型验证 |
| 2.3.4 ADSL LDMOS解析模型小结 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 具有电荷补偿层LDMOS器件设计及关键技术 |
| 3.1 具有电荷补偿层新型LDMOS器件设计 |
| 3.1.1 SCCL LDMOS器件结构和工作机理 |
| 3.1.2 SCCL LDMOS仿真优化分析 |
| 3.1.3 SCCL LDMOS关键工艺流程 |
| 3.1.4 SCCL LDMOS小结 |
| 3.2 具有电荷补偿层新型SJ-LDMOS器件设计 |
| 3.2.2 SCCL SJ-LDMOS器件结构和工作机理 |
| 3.2.3 SCCL SJ-LDMOS仿真优化分析 |
| 3.2.4 SCCL SJ-LDMOS关键工艺流程 |
| 3.2.5 SCCL SJ-LDMOS小结 |
| 3.3 具有电荷补偿层LDMOS器件的解析模型 |
| 3.3.1 SCCL LDMOS器件结构和工作机理 |
| 3.3.2 SCCL LDMOS器件解析建模 |
| 3.3.3 SCCL LDMOS模型验证 |
| 3.3.4 SCCL LDMOS解析模型小结 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 具有多环衬底结构的LDMOS设计及关键技术 |
| 4.1 具有多环衬底结构新型LDMOS设计 |
| 4.1.1 M-R LDMOS器件结构和工作机理 |
| 4.1.2 M-R LDMOS仿真优化分析 |
| 4.1.3 M-R LDMOS关键工艺流程 |
| 4.1.4 M-R LDMOS小结 |
| 4.2 具有多环衬底结构新型SJ-LDMOS设计 |
| 4.2.1 M-RSJ-LDMOS器件结构和工作机理 |
| 4.2.2 M-RSJ-LDMOS仿真优化分析 |
| 4.2.3 M-RSJ-LDMOS关键工艺流程 |
| 4.2.4 M-RSJ-LDMOS小结 |
| 4.3 具有多环衬底结构LDMOS器件的解析模型 |
| 4.3.1 M-R LDMOS器件结构和工作机理 |
| 4.3.2 M-R LDMOS电场和电势分布模型 |
| 4.3.3 M-R LDMOS击穿电压模型 |
| 4.3.4 M-R LDMOS比导通电阻模型 |
| 4.3.5 M-R LDMOS模型验证 |
| 4.3.6 M-R LDMOS解析模型小结 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 具有阶梯Hk介质层MOSFET器件解析建模 |
| 5.1 阶梯Hk MOSFET器件建模 |
| 5.1.1 阶梯Hk MOSFET器件结构和工作机理 |
| 5.1.2 阶梯Hk MOSFET耐压模型 |
| 5.1.3 阶梯Hk MOSFET比导通电阻模型 |
| 5.1.4 阶梯Hk MOSFET模型验证 |
| 5.2 本章小结 |
| 第六章 适用于柔性电子的LDMOS器件设计及实验 |
| 6.1 适用于柔性电子的LDMOS器件结构 |
| 6.2 适用于柔性电子的LDMOS器件设计 |
| 6.2.1 适用于柔性电子的体硅LDMOS器件 |
| 6.2.2 适用于柔性电子的SOI基LDMOS器件 |
| 6.2.3 适用于柔性电子的LDMOS器件设计小结 |
| 6.3 适用于柔性电子的SOI基LDMOS器件流片实验 |
| 6.3.1 实验方案 |
| 6.3.2 版图设计及掩膜版制备 |
| 6.3.3 流片结果 |
| 6.3.4 SOI基LDMOS器件测试 |
| 6.3.5 适用于柔性电子的SOI基LDMOS器件测试 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 全文总结 |
| 7.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（2）互联网宽带接入技术及其工程实践研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 专用术语注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 宽带接入技术的现状 |
| 1.3 本文研究目标与主要内容 |
| 1.4 论文的组织结构 |
| 第二章 互联网宽带接入关键技术研究 |
| 2.1 宽带接入技术架构 |
| 2.2 ADSL接入技术 |
| 2.2.1 ADSL技术特点与性能 |
| 2.2.2 ADSL接入方式 |
| 2.2.3 ADSL调制原理 |
| 2.2.4 ADSL接入在信息化小区的应用 |
| 2.3 光纤接入技术 |
| 2.3.1 光纤接入方式的特点与结构 |
| 2.3.2 PON技术结构与特点 |
| 2.3.3 EPON接入技术 |
| 2.3.4 GPON接入技术 |
| 2.3.5 EPON与 GPON的对比 |
| 2.3.6 光纤接入技术在信息化小区的应用 |
| 2.4 HFC接入技术 |
| 2.4.1 CATV网络简介 |
| 2.4.2 HFC宽带接入技术 |
| 2.5 几种有线接入技术的比较 |
| 2.6 无线接入技术 |
| 2.6.1 无线宽带接入技术分类 |
| 2.6.2 无线接入技术的优势 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 基于GPON的 FTTH接入方案分析 |
| 3.1 基于GPON的 FTTH网络结构 |
| 3.2 基于GPON的 FTTH部署规划 |
| 3.2.1 OLT部署 |
| 3.2.2 ONT/ONU部署 |
| 3.2.3 ODN部署 |
| 3.3 FTTH场景方案模型 |
| 3.3.1 新建多层住宅方案模型 |
| 3.3.2 新建高层住宅方案模型 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于GPON的 FTTH接入技术工程实践 |
| 4.1 淮阴师范学院FTTH接入方案设计 |
| 4.1.1 网络拓扑结构及设计思路 |
| 4.1.2 接入层OLT |
| 4.1.3 BRAS设备 |
| 4.1.4 网管系统 |
| 4.1.5 双机热备部署方案 |
| 4.1.6 设备面板 |
| 4.1.7 光猫 |
| 4.2 宽带线路工程实施 |
| 4.2.1 宽带线路工程概况 |
| 4.2.2 工程施工方案 |
| 4.2.3 分布施工方法 |
| 4.3 宽带线路工程测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（3）横向功率器件纵向电场调制机理及新型器件设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 功率半导体器件研究的意义与背景 |
| 1.2 横向功率器件技术概述 |
| 1.3 LDMOS横向优化技术 |
| 1.3.1 结终端技术简介 |
| 1.3.2 RESURF技术 |
| 1.3.3 横向变掺杂技术 |
| 1.3.4 电场调制技术 |
| 1.3.5 导通电阻优化 |
| 1.3.6 LDMOS横向优化技术小结 |
| 1.4 仿真软件介绍 |
| 1.5 本论文的内容及工作安排 |
| 第二章 横向功率器件纵向电场调制技术 |
| 2.1 横向功率器件纵向电场优化思想 |
| 2.1.1 横向功率器件耐压特性 |
| 2.1.2 纵向电场优化技术 |
| 2.2 横向功率器件体内场优化技术 |
| 2.2.1 P型埋层体内场优化 |
| 2.2.2 REBULF技术 |
| 2.2.3 介质层电场增强技术 |
| 2.3 纵向电场调制理论 |
| 2.4 本论文的主要创新工作 |
| 第三章 具有纵向辅助耗尽衬底层新型LDMOS |
| 3.1 器件结构及原理 |
| 3.2 器件机理仿真分析 |
| 3.3 器件结构参数优化 |
| 3.4 器件工艺制备 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 具有纵向电场调制的横向超结功率器件 |
| 4.1 横向超结LDMOS |
| 4.1.1 超结功率MOS理论 |
| 4.1.2 横向超结LDMOS发展 |
| 4.1.3 横向超结LDMOS耐压特性 |
| 4.2 具有衬底辅助耗尽层的SJ-LDMOS新结构 |
| 4.2.1 器件结构及原理 |
| 4.2.2 器件机理仿真分析 |
| 4.2.3 器件结构参数优化 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（6）ADSL调制解调器驱动器的实现（论文提纲范文）
| 1 驱动器的要求与特点 |
| 1.1 ADSL系统结构 |
| 1.2 驱动器应用环境 |
| 1.3 ADSL的调制技术 |
| 2 驱动器的实现 |
| 2.1 指标要求 |
| 2.2 实际电路 |
| 2.3 性能估算 |
| 3 结 语 |
（7）IP-DSLAM/ADSL下行传输线路的研究与设计（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 引言 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 主要工作 |
| 2 IP-DSLAM及相关技术综述 |
| 2.1 IP-DSLAM技术 |
| 2.1.1 DSLAM概述 |
| 2.1.2 IP-DSLAM技术 |
| 2.2 基于网络处理器的IP-DSLAM原理 |
| 2.3 ADSL基本原理 |
| 2.3.1 ADSL调制技术 |
| 2.3.2 ADSL传输技术 |
| 3 IP-DSLAM传输线路总体设计 |
| 3.1 传输线路总体方案介绍 |
| 3.1.1 发送端设计方案 |
| 3.1.2 接收端设计方案 |
| 3.1.3 外围电路设计方案 |
| 3.2 IP-DSLAM中ADSL下行传输线路设计方案 |
| 3.2.1 总体方案介绍 |
| 3.2.2 功能模块简介 |
| 3.2.3 系统流程图 |
| 4 IP-DSLAM中ADSL下行传输线路的研究设计 |
| 4.1 RS编码 |
| 4.1.1 RS编码理论研究 |
| 4.1.2 RS编码设计 |
| 4.2 星座网格编码 |
| 4.2.1 星座网格编码理论研究 |
| 4.2.2 星座网格编码设计 |
| 4.3 IFFT |
| 4.3.1 IFFT算法理论 |
| 4.3.2 FFT处理器设计 |
| 4.3.3 数据及旋转因子地址设计 |
| 4.3.4 蝶型运算单元设计 |
| 4.4 插入循环前缀 |
| 4.4.1 循环前缀的插入理论研究 |
| 4.4.2 循环前缀的插入设计 |
| 5 基于FPGA系统仿真 |
| 5.1 仿真工具介绍 |
| 5.2 代码实现和编译 |
| 5.2.1 建立工程 |
| 5.2.2 代码编译 |
| 5.3 仿真流程 |
| 5.4 结果分析 |
| 5.4.1 编译结果分析 |
| 5.4.2 仿真结果分析 |
| 6 总结和展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录A |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
（8）xDSL频谱兼容性的分析与研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 本文研究内容和组织结构 |
| 第2章 DSL 技术介绍及其应用 |
| 2.1 DSL 技术介绍 |
| 2.2 ISDN |
| 2.2.1 HDSL |
| 2.2.2 SDSL |
| 2.2.3 ADSL |
| 2.2.4 VDSL |
| 2.2.5 ADSL2/ADSL2+ |
| 2.3 XDSL 的编码调制技术 |
| 2.3.1 QAM 调制技术 |
| 2.3.2 CAP 调制技术 |
| 2.3.3 DMT 调制技术 |
| 2.4 XDSL 标准制定组织 |
| 第3章 双绞线系统及其噪声 |
| 3.1 影响XDSL 传输的因素 |
| 3.2 双绞线简介 |
| 3.2.1 双绞线物理特性 |
| 3.2.2 双绞线电气特性及其RLCG 模型 |
| 3.2.3 桥接抽头 |
| 3.2.4 加感线圈 |
| 3.3 铜线系统结构及环路设计规则 |
| 3.4 双绞线系统的噪声 |
| 3.4.1 双绞线噪声分类 |
| 3.4.2 近端串音（NEXT）模型 |
| 3.4.3 远端串音（FEXT）模型 |
| 3.4.4 FSAN 方法：计算不同类型干扰线对的串音之和 |
| 3.4.5 举例：HDSL 串音干扰对下行HDSL 的影晌 |
| 第4章 频谱管理标准的研究 |
| 4.1 频谱管理标准T1.417 产生的背景 |
| 4.2 频谱管理标准T1.417-2001 |
| 4.2.1 基本环路系统 |
| 4.2.2 频谱管理类（SM）及PSD Mask |
| 4.2.3 部署规则 |
| 4.2.4 频谱管理对时域的要求 |
| 4.2.5 频谱管理其它方面的要求 |
| 4.3 制定中国XDSL 频谱管理标准的必要性 |
| 4.4 频谱管理的发展方向:动态频谱管理（DSM） |
| 第5章 频谱兼容性测试方法 |
| 5.1 利用频谱管理标准判定频谱兼容性 |
| 5.2 评估新DSL 技术的频谱兼容性测试方法 |
| 5.2.1 基本的测试模型 |
| 5.2.2 评估新DSL 技术频谱兼容性的测试流程 |
| 5.3 举例：新DSL 技术与ADSL 的频谱兼容性测试过程 |
| 5.3.1 计算测试与ADSL 频谱兼容性所需的参数 |
| 5.3.2 评估环路与性能等级 |
| 5.3.3 参考串音环境及裕度计算 |
| 5.4 ADSL 性能自动测试系统的实现 |
| 5.4.1 自动测试系统简介 |
| 5.4.2 ADSL 传输性能自动测试系统流程及其实现 |
| 第6章 ADSL 与VDSL 的频谱兼容性分析 |
| 6.1 总述 |
| 6.2 仿真的网络配置环境 |
| 6.2.1 局端混合的网络配置（Central office mix） |
| 6.2.2 用户端混合的网络配置（Customer premise mix） |
| 6.3 局端混合网络配置下的频谱兼容性 |
| 6.3.1 仿真的VDSL 系统 |
| 6.3.2 仿真的ADSL 系统 |
| 6.3.3 局端混合环境下的仿真结果分析 |
| 6.4 用户端混合网络配置下的频谱兼容性 |
| 6.4.1 VDSL 的上行信道频带包括小于1.104MHz 的部分 |
| 6.4.2 VDSL 的下行信道预带包括小于1.104MHz 的部分 |
| 6.5 ADSL 和VDSL 频谱兼容性的结论 |
| 参考文献 |
| 附录1 ADSL 传输性能自动测试系统的程序说明 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 |
（10）对ADSL传输质量影响因素的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 |
| 1.2 ADSL技术及其特点 |
| 1.2.1 xDSL技术简介 |
| 1.2.2 ADSL技术的基本原理 |
| 1.2.3 ADSL技术的主要特点 |
| 1.3 影响ADSL传输质量的因素 |
| 1.3.1 传输线路对 ADSL传输质量的影响 |
| 1.3.2 调制方式对 ADSL传输质量的影响 |
| 1.4 国内外相关领域的研究进展情况 |
| 1.5 本文主要研究内容 |
| 1.6 本文结构 |
| 第2章 ADSL调制技术 |
| 2.1 QAM调制 |
| 2.1.1 QAM调制的基本原理 |
| 2.1.2 QAM的数学处理 |
| 2.2 CAP调制 |
| 2.3 DMT调制 |
| 2.4 CAP调制和 DMT调制技术特性比较 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 DMT调制中的一些技术改进措施 |
| 3.1 优化的比特分配算法 |
| 3.1.1 经典的比特分配算法 |
| 3.1.2 优化的比特分配算法 |
| 3.1.3 仿真结果 |
| 3.2 消除循环前缀长度不足引起的失真 |
| 3.2.1 DMT调制系统 |
| 3.2.2 预编码器 |
| 3.2.3 仿真结果 |
| 3.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
四、ADSL调制技术（论文参考文献）
- [1]LDMOS横纵向电场同时优化及关键技术[D]. 董自明. 西安电子科技大学, 2020(05)
- [2]互联网宽带接入技术及其工程实践研究[D]. 陆洋. 南京邮电大学, 2018(02)
- [3]横向功率器件纵向电场调制机理及新型器件设计[D]. 赵逸涵. 西安电子科技大学, 2018(02)
- [4]ADSL技术发展及应用[J]. 古丽米拉·阿木提. 电子测试, 2017(04)
- [5]ADSL技术及其应用[J]. 姚卓锐. 沿海企业与科技, 2008(04)
- [6]ADSL调制解调器驱动器的实现[J]. 黄洁. 现代电子技术, 2008(03)
- [7]IP-DSLAM/ADSL下行传输线路的研究与设计[D]. 马晶晶. 北京交通大学, 2007(05)
- [8]xDSL频谱兼容性的分析与研究[D]. 陆伟铭. 上海交通大学, 2007(06)
- [9]ADSL宽带接入技术的原理和应用[J]. 韩宁娟. 山西焦煤科技, 2007(S1)
- [10]对ADSL传输质量影响因素的研究[D]. 陈一品. 安徽大学, 2006(06)