一、硅片上铭刻着的成就(论文文献综述)
肖云峰[1](2012)在《反向斑点杂交和微流控技术对H5亚型病毒检测方法的建立》文中指出目的通过反向斑点杂交技术和微流控技术对目的基因序列进行分析以判定禽流感病毒H5亚型致病力高低和推测致病性的变化,这有利于对病毒的监测与控制,减轻病毒传播带来的危害。方法通过利用反向斑点杂交技术和微流控技术,在微流控芯片上建立禽流感病毒H5亚型的检测方法。结果以H5亚型禽流感病毒RNA作为模板,进行RT-PCR扩增,扩增产物测序结果在Gen Bank上进行BLAST分析,与Gen Bank上公布的H5N1比较。预期该亚型的扩增片段为特异性片段,从而得到生物素标记目的片段,进而确定反向斑点杂交技术和微流控技术可对禽流感病毒H5亚型进行检测。并将两种方法得到的结果进行比较。同时对微流控技术检测禽流感病毒H5亚型方法的特异性进行验证。结论本研究成功的建立了利用反向斑点杂交技术和微流控技术对禽流感病毒H5亚型的检测方法,并且该方法具有操作简单,灵活快速,成本低廉等特点,为禽流感病毒H5亚型的快速检测提供了新的方法,具有广阔的应用和发展前景。
朱美光[2](2011)在《硅纳米线阵列的光谱特性与电学特性的研究》文中研究指明近年来,微纳米材料特别是硅基半导体纳米材料的制备、表征及应用已经成为诸多领域所共同关注的焦点。而湿化学刻蚀法更是因为实验设备简单、成本低、生成效率高以及重复性好,成为制备纳米结构的最理想的技术之一。利用湿化学刻蚀法所制备的硅纳米线,其典型的平均线径为70nm左右。研究这类硅纳米线的光谱及其电子特性将为其在能源、光电器件等方面的应用提供了科学依据。本文开展了如下几个方面的研究工作:第一、对硅纳米线阵列的光谱学与电学特性的各种表征手段及其相关理论基础进行了深入探讨。第二、利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及高分辨率的透射电子显微镜刘(HRTEM)对所制备的硅纳米线进行结构和形貌表征。利用傅里叶红外变换(FTIR)、拉曼光谱以及光致发光谱对所制备的硅纳米线阵列进行了光学特性研究。第三、制备了基于硅纳米线阵列的结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特基二极管。讨论了不同实验条件对PtSi薄膜特性的影响,获得了制备高质量PtSi薄膜的理想实验条件;所制备的PtSi薄膜厚度仅为12nm。研究了基于低掺杂的p型硅的欧姆接触制备,分析了Al/p-Si欧姆接触特性。制备了比接触电阻为2.31*10-5的Al/p-Si欧姆接触。第四、研究了基于硅纳米线阵列的结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特基二极管在不同温度下的伏安特性曲线;基于硅纳米线特殊的几何结构,提出了基于反向饱和电流的理查德图来合理提取肖特基二极管的三个重要电学参数。讨论了温度和光对肖特基二极管的影响。同时详细分析了结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特基二极管的电流传输机理。总之,该课题的研究方法及成果对湿法刻蚀的硅纳米线在太阳能电池、光学器件以及红外光电探测器等方面的应用提供了重要的科学依据,具有一定的科研价值。该成果的进一步发展必将产生巨大的社会和经济效益。
宋文荣[3](2004)在《微电子制芯领域中磁悬浮精密定位平台的研究》文中研究表明论文系统地综述了国内外微电子技术的发展概况、发展趋势以及微电子产业在世界经济增长中具有的重大影响,概述了光刻技术和光刻设备的研究与发展状况,叙述了当前磁悬浮技术的研究及应用水平,阐明了研制新型磁悬浮精密定位平台的现实意义、重要性和可行性。介绍了磁悬浮技术和直线电机技术的一般理论基础,具体描述了磁悬浮轴承和列车的结构原理。 在参考国内外光刻机现有定位平台结构形式的基础上,根据磁悬浮轴承和列车的结构原理,以磁悬浮技术为基础、以直线电机无接触驱动为动力,研究并设计了具有自主知识产权的两种结构模式磁悬浮精密定位平台,以适应我国自主研制开发新一代光刻机的需要。通过性价分析对比,最终确定磁悬浮精密定位平台采用V型对称导轨结构形式。在此基础上进行了磁悬浮系统的刚度、阻尼、磁路等分析与设计计算,并给出了相应的取值范围以及指出了在设计计算时应注意的方面。 对影响定位平台垂直方向稳定精度的误差进行了理论分析,结果表明将工作点的位置选取在悬浮连接点决定的台面中心时,有利于减小磁悬浮误差对平台工作点的稳定精度带来的负面影响。 分析并计算了导轨式定位平台磁悬浮系统中存在的磁力耦合现象。在建立了磁悬浮系统的动力学模型基础上,对磁悬浮系统进行了解耦控制设计,并对解耦后的磁悬浮定位平台进行了阶跃响应和抗干扰能力的仿真试验。结果表明磁悬浮系统实现了完全解耦,一个输入量仅控制一个输出量,且解耦控制系统具有较好的抗干扰能力。 利用罗斯-霍维茨判据,理论分析了定位平台磁悬浮控制系统的稳定性。结果显示,磁悬浮系统在与定态相对应的平衡点(i0,z0)处是稳定可控的。 建立了磁悬浮定位平台直线定位运动的数学模型,根据传递函数,运用MATLAB软件中的SIMULINK仿真模块,构造了平台定位运动的PID位置反馈控制仿真模型。在该仿真模型基础上进行了针对多项系数及参数的仿真试验,得到多组试验曲线。分析比较仿真试验曲线可知:采用结构轻量化设计、选用较大弹性系数的直线电机等可以大幅度改善定位系统的位移输出动态性能,提高定应运动的控制精度,并有利于满足设备高生产率的需求。 构思设计了一种可变阻尼系统。该可变阻尼系统在平台启动时阻尼很小或为零,而当平台接近定位位置的瞬时阻尼很大。它将使定位平台既有高的响应频率,动作灵敏,又具有较高的定位精度。 制作了磁悬浮精密定位平台的原理样机,在不同状态下进行了原理样机直线定位运动的对比试验。结果表明,磁悬浮状态下的定位精度要高于摩擦状态下的定位精度,中国科学院博士学位论文:微电子制芯领域中磁悬浮精密定位平台的研究磁悬浮结乍J有利于提高平台的定位精度。在现有光栅尺精度为4脚的试验条件下,原理样机磁悬浮状态时的定位精度能达到10脚。 理论分析、计算和试验结果说明:磁悬浮精密定位平台的研制是成功可行的,它可以替代传统的摩擦定位平台或气浮定位平台。它无摩擦磨损,克服了由此产生的各种缺陷如金属粉尘污染等问题;省略了各种联结传动部件,减轻了机构的重量,消除了联结间隙,有效地提高了平台动态响应频率和定位精度。因此,采用磁悬浮精密定位平台加压电马达驱动能满足新一代光刻机超洁净制作环境、超精密定位精度、高生产效率的要求。
Charles Seife,郝建纲[4](2000)在《硅片上铭刻着的成就》文中研究说明
二、硅片上铭刻着的成就(论文开题报告)
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、硅片上铭刻着的成就(论文提纲范文)
(1)反向斑点杂交和微流控技术对H5亚型病毒检测方法的建立(论文提纲范文)
中文摘要 |
Abstract |
前言 |
实验材料 |
实验方法 |
实验结果 |
讨论 |
结论 |
参考文献 |
文献综述 |
参考文献 |
缩略语表 |
攻读学位期间发表文章情况 |
个人简历 |
致谢 |
(2)硅纳米线阵列的光谱特性与电学特性的研究(论文提纲范文)
摘要 |
Abstract |
目录 |
第一章 绪论 |
1.1 纳米技术概述 |
1.2 碳纳米管综述 |
1.3 硅纳米线概述 |
1.3.1 硅材料综述 |
1.3.2 硅纳米线综述 |
1.3.3 硅纳米线的制备方法 |
1.3.4 硅纳米线的光学和电学特性研究现状 |
1.4 硅纳米线阵列的光学特性表征 |
1.5 硅纳米线的电学表征 |
1.6 本论文的主要工作和意义 |
参考文献 |
第二章 硅纳米线的光谱特性和电学特性丛本理论 |
2.1 量子限制及其效应(Quantum confinement and its effects) |
2.1.1 量子点,量子线,量子阱 |
2.1.2 丛于量子限制效应起作用下的态密度 |
2.1.3 纳米结构的带隙 |
2.2 硅纳米线的光致发光特性基本原理 |
2.3 肖特基二极管(SBD)的工作原理 |
2.3.1 肖特基势垒的形成 |
2.3.2 表面态和金属功函数对势垒高度的影响 |
2.3.3 肖特基二极管势垒高度的提取 |
2.3.4 肖特基二极管的电子输运机理 |
参考文献 |
第三章 硅纳米线阵列的制备 |
3.1 实验仪器与设备 |
3.2 硅纳米线阵列的制备 |
3.3 影响硅纳米线阵列形成的关键因素 |
3.4 硅纳米线阵列形貌和结构表征 |
3.5 本章小结 |
参考文献 |
第四章 硅纳米线阵列光学特性研究 |
4.1 硅纳米线阵列的反射光谱 |
4.2 硅纳米线的拉曼散射 |
4.3 硅纳米线的光致发光谱 |
4.4 本章小结 |
参考文献 |
第五章 PtSi/p-SiNWs/Si/Al二极管的制备 |
5.1 PtSi合金薄膜层的制备方法 |
5.2 离子溅射法制备PtSi薄膜及影响因数研究 |
5.2.1 PtSi薄膜制备 |
5.2.2 退火温度对PtSi薄膜的影响 |
5.2.3 溅射时间对PtSi薄膜厚度的影响 |
5.3 背电极的制备及特性研究 |
5.4 本章小结 |
参考文献 |
第六章 丛于结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al的肖特丛二极管的特性研究 |
6.1 肖特丛二极管的理想电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性 |
6.2 结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特基二极管电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性 |
6.3 结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特丛二极管参数提取 |
6.3.1 肖特丛二极管(SBD)参数提取的方法 |
6.3.2 结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al SBD三个重要参数的提取 |
6.4 温度对结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特丛二极管的参数的影响 |
6.5 界面层和串联电阻对器件特性的影响 |
6.6 电流输运机制 |
6.7 光对结构为PtSi/p-SiNWs/Si/Al肖特丛二极管的影响 |
6.8 本章小结 |
参考文献 |
第七章 结论与展望 |
作者在攻读博上学位期间的主要工作 |
致谢 |
(3)微电子制芯领域中磁悬浮精密定位平台的研究(论文提纲范文)
摘要 |
ABSTRACT |
目录 |
图表索引 |
第一章 绪论 |
1.1 引言 |
1.2 光刻机的发展现状 |
1.3 精密定位平台的技术研究与应用 |
1.3.1 国外定位平台的技术现状 |
1.3.2 我国定位平台的技术现状 |
1.4 国内外磁悬浮技术的研究进展 |
1.5 本文的研究内容和研究方法 |
1.5.1 研究内容 |
1.5.2 论文主要章节及内容 |
1.6 本章小结 |
第二章 磁悬浮技术和直线电机驱动的基本原理 |
2.1 引言 |
2.2 磁悬浮技术的工作原理 |
2.2.1 磁路与磁吸力的计算 |
2.2.2 磁悬浮系统的磁力特性 |
2.3 磁悬浮轴承的结构原理 |
2.4 磁悬浮列车的结构原理 |
2.5 直线电机驱动的工作原理 |
2.6 本章小结 |
第三章 磁悬浮精密定位平台的设计 |
3.1 引言 |
3.2 磁悬浮定位平台结构的设计 |
3.2.1 磁轴承式结构的定位平台 |
3.2.2 磁悬浮导轨式结构的定位平台 |
3.3 磁悬浮系统的刚度与阻尼设计 |
3.4 磁悬浮系统磁路的设计与计算 |
3.4.1 磁路与磁场的关系式 |
3.4.2 电磁铁磁路的设计计算 |
3.5 定位平台的控制系统 |
3.5.1 磁悬浮系统的PD反馈控制器 |
3.5.2 直线电机的PID伺服控制器 |
3.6 直线电机的驱动力计算 |
3.7 定位平台工作点的误差理论分析 |
3.8 定位平台设计中应注意的其他问题 |
3.9 本章小结 |
第四章 磁悬浮定位平台的耦合分析与解耦控制 |
4.1 引言 |
4.2 磁悬浮定位平台的磁力耦合分析 |
4.2.1 电磁铁磁力的计算 |
4.2.2 电涡流传感器输出电流的计算 |
4.2.3 耦合磁力的计算 |
4.3 磁悬浮定位平台的解耦控制 |
4.3.1 磁悬浮系统的动力学模型 |
4.3.2 控制系统状态方程和输出方程的建立 |
4.3.3 磁悬浮系统的解耦控制 |
4.4 磁悬浮系统解耦控制的仿真试验 |
4.4.1 解耦后磁悬浮系统的阶跃响应仿真 |
4.4.2 解耦后磁悬浮控制系统的抗干扰仿真 |
4.5 解耦控制后磁悬浮系统的稳定性分析 |
4.5.1 非线性动力学的基础知识 |
4.5.2 磁悬浮系统解耦后的稳定性分析 |
4.6 本章小结 |
第五章 磁悬浮平台直线定位运动的仿真与试验 |
5.1 引言 |
5.2 磁悬浮定位平台直线运动的数学模型 |
5.3 PID控制仿真模型的建立与增益系数的确定 |
5.4 平台输出位移的仿真试验及精度分析 |
5.4.1 平台输出位移的仿真试验与结果 |
5.4.1.1 控制器增益系数对平台输出位移的影响 |
5.4.1.2 固有振荡频率对平台输出位移的影响 |
5.4.1.3 阻尼对平台输出位移的影响 |
5.4.2 定位平台控制精度的分析 |
5.5 本章小结 |
第六章 磁悬浮精密定位平台的原理样机制作及试验 |
6.1 引言 |
6.2 原理样机的制作 |
6.3 原理样机的直线定位试验 |
6.3.1 非悬浮状态下平台的直线定位试验 |
6.3.2 悬浮状态下平台的直线定位试验 |
6.4 本章小结 |
第七章 结论与展望 |
7.1 引言 |
7.2 论文的研究成果 |
7.3 论文的创新点 |
7.4 进一步的研究工作与展望 |
参考文献 |
博士期间发表的论文、申请的专利与基金课题 |
博士期间担任社会职务及获奖情况 |
致谢 |
作者简历 |
四、硅片上铭刻着的成就(论文参考文献)
- [1]反向斑点杂交和微流控技术对H5亚型病毒检测方法的建立[D]. 肖云峰. 内蒙古医科大学, 2012(04)
- [2]硅纳米线阵列的光谱特性与电学特性的研究[D]. 朱美光. 华东师范大学, 2011(05)
- [3]微电子制芯领域中磁悬浮精密定位平台的研究[D]. 宋文荣. 中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所), 2004(03)
- [4]硅片上铭刻着的成就[J]. Charles Seife,郝建纲. 世界科学, 2000(12)